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CRHEA

Le laboratoire est structuré autour de la croissance de matériaux par épitaxie, qui est le cœur de son activité. Ces matériaux se regroupent aujourd’hui autour de la thématique des semiconducteurs à grande bande interdite : les nitrures de gallium (GaN, InN, AlN et les alliages), l’oxyde de zinc (ZnO) et le carbure de silicium (SiC). Le graphène, matériau de bande interdite nulle, épitaxié sur SiC, vient compléter cette liste. Différentes méthodes de croissance sont utilisées pour synthétiser ces matériaux : l’épitaxie par jets moléculaires (sous ultra vide) et diverses épitaxies en phase vapeur. Autour de ce métier de l’épitaxie se sont organisées des activités d’analyses structurales, optiques et électriques. La plate-forme technologique régionale (CRHEATEC) permet de fabriquer des dispositifs. En terme d’applications, le laboratoire couvre aussi bien le domaine de l’électronique (transistors de puissance de type HEMT, diodes Schottky, diodes tunnels, spintronique...) que celui de l’optoélectronique (diodes électroluminescentes, lasers, détecteurs, matériaux pour optique non linéaire, structures à microcavités pour sources optiques...). Le laboratoire s’est également engagé dans la voie des « nano » avec des aspects fondamentaux (nanoscience) et des aspects plus appliqués (nanotechnologie pour l’électronique ou l’optique).

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2D materials Quantum wells HEMT Excitons Al Nanowire III-N Diffraction CRYSTALS AlGaN/GaN HEMT 3C–SiC Bending Épitaxie Epitaxy Quantum dots Caractérisation Creep Aluminum gallium nitride High electron mobility transistor Semiconducteurs Silica Selective area growth Atom probe tomography Nitrure de gallium Microcavity Nanoparticles GaN HEMT Nitrides III-nitride semiconductors Metasurface Nanostructures Aluminum nitride Chemical vapor deposition Electron holography Normally-off Characterization DLTFS Croissance High electron mobility transistor HEMT Molecular beam epitaxy Millimeter-wave power density Group III-nitrides High electron mobility transistors MBE Transistor Schottky barrier diode Light emitting diodes Electrical properties and parameters Épitaxie par jets moléculaires InGaN CVD ZnO Bond order wave Doping Chemical vapor deposition processes Silicon Free-standing GaN Semiconductors LPCVD Metalens Zinc oxide Traps GaN Graphene Coalescence Defects Boron nitride Nitrures d'éléments III 6H-SiC LEDs Silicium Microscopie électronique en transmission Photoluminescence Diodes électroluminescentes III-nitrides Heterostructures Spectroscopy Molecular beam epitaxy MBE Gallium nitride Tunnel junction Cathodoluminescence Gallium nitride GaN Transmission electron microscopy AlGaN/GaN Strong coupling Bullseye antennas AlN AlGaN Silicon carbide Atomic force microscopy Contraintes Optical properties Metasurfaces Compressive stress Holography GaN-on-Si MOCVD LED Dislocations Boîtes quantiques